三星电子：2nm良率爬坡好于预期，泰勒厂预计年底完成首批流片 作者： 时间：2026-03-09 来源：IT之家 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询

3 月 9 日消息，参考韩媒 iner:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s24 的报道，三星电子高管代表在出席韩国当地时间本月 5 日举行的摩根大通投资者会议时表示，其 2nm 先进制程的良率爬坡进展好于此前预期，同时考虑将产能利用率低的生产线转移至先进封装方向。

对于三星电子位于美国得州泰勒的晶圆厂，企业高管表示该项目当前处于设备安装阶段，预计首批晶圆流片将在 2026 年底前完成（考虑到后续工序的用时，对应的首批出货时间将落在 2027 年）。

而在 HBM 相关业务方面，代表重申了 2026 年销售额较 2025 年增长 3 倍、市占超越 30% 的目标，此外还称 HBM3E 的价格今年可能会有所改善。三星电子将包含先进制程、存储器、先进封装的“交钥匙”解决方案视为其后 HBM4 世代的关键增长点，同时计划扩大与代工厂伙伴的逻辑芯片定制合作。